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场效应管（也称为MOS管或MOSFET）的VGS电压是门极到源极的电压。开启电压是使场效应管从截止状态转变为导通状态所需要的最小VGS电压。当VGS电压高于开启电压时，场效应管开始导通，漏极电流（ID）随VGS的增加而增加。
至于“场效应管VGS-VGSTH等于什么”，其中VGSTH通常表示场效应管的阈值电压，也就是使场效应管达到某一特定工作状态（如半导通或完全导通）所需要的VGS电压值，VGS-VGSTH可以解释为场效应管的门极电压超过其阈值电压的程度，或者说场效应管导通的程度，这个差值越大，场效应管的导通能力就越强。
解释是基于一般的MOS管工作原理，具体数值和特性可能会因不同的场效应管型号和制造工艺有所不同，如果需要具体数据或更深入的解释，建议查阅相关的数据手册或参考专业文献。